Utilisateur:Ludomax505/Livres/Nanotechnologies
|
Ce livre utilisateur est une collection d'articles Wikipédia générée par un utilisateur qui peut être facilement sauvegardée, rendue sous forme électronique et commandée comme livre imprimé. Si vous êtes le créateur de ce livre et que vous avez besoin d'aide, voyez Aide:Livres (conseil généraux) et Projet:Livres Wikipédia (questions et assistance). | ||||||||
| [ Télécharger en PDF ]
[ Charger dans le Créateur de livres ] [ Commander le livre imprimé ] |
|||||||||
| [ FAQ ] [ Problèmes ] [ Aide ] [ Projet Wikipédia ] [ Modifications récentes ] | |||||||||
- Nanotechnologie
- Ablation laser pulsé
- ASML
- Assembleur moléculaire
- Auto-assemblage
- Autoréplication
- Buckypaper
- Carbon Nanotube Field Effect Transistor
- Claytronics
- Débat sur les nanotechnologies
- Kim Eric Drexler
- Jean-Pierre Dupuy
- Duroquinone
- Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologie
- Institut de micro-électronique et composants
- Interface neuronale directe
- Jonction tunnel
- Laboratoire d'électronique des technologies de l'information
- Laboratoire sur puce
- Lithographie par faisceau d'électrons focalisé
- Micro-électronique
- Minatec
- Nanites
- Nano aliments
- Nano-argent
- Nano-informatique
- Nanobiotechnologie
- Nanocapteur
- Nanofiltration
- Nanomachine
- Nanomédecin
- Nanomédecine
- Nanorobot
- Nanotoxicologie
- Nanotube de carbone
- Peptisation
- Pièces et Main d'Œuvre
- Pompe électro-osmotique
- Pourquoi le futur n'a pas besoin de nous
- Réseau pervasif
- Salle blanche
- Soitec
- Superhydrophobe
- Technique acoustique picoseconde
- Stefan Trellenkamp
- Nanomatériau
- Nanométrologie
- Nanothermite
- Boîte quantique
- Cluster (physique)
- Métamatériau
- Nano Random Access Memory
- Nanobaguettes de diamants agrégées
- Nanocristal
- Nanomousse de carbone
- Nanoparticule
- Nanopoudre
- Nanotige
- Nanotube
- Fullerène
- Buckminsterfullerène
- Cellule polymère photovoltaïque
- PCBM (molécule)
- Nanoélectronique
- Microsystème électromécanique
- Nanofils
- Nanophotonique
- Nanosystème électromécanique
- Rotaxane
- Électronique moléculaire
- Diode électroluminescente organique
- Mélanine
- Polyacétylène
- Polythiophène
- Résistance négative
- Tétrathiafulvalène
- ACS Nano
- Advanced Functional Materials
- Advanced Materials
- Beilstein Journal of Nanotechnology
- Biosensors & Bioelectronics
- International Journal of Nanoscience
- Journal of Physical Chemistry C
- Lab on a Chip
- Microporous and Mesoporous Materials
- Nano Letters
- Nano Today
- Nanoscale
- Nanoscale Research Letters
- Nanotoxicology (journal)
- Nature Nanotechnology
- Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications
- Small (journal)
- Portail:Micro et nanotechnologie
- Buffered oxide etch
- Conception de circuits intégrés
- Correction optique de proximité
- Dépôt chimique en phase vapeur
- Design Kit
- Die (circuit intégré)
- Die shot
- Diode laser à cavité verticale émettant par la surface
- Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma
- Dépôt de couche mince
- Dépôt physique par phase vapeur
- Effet de corps flottant
- Electron beam physical vapor deposition
- Enduction centrifuge
- Évaporation sous vide
- Fab12
- Fabrication des dispositifs à semi-conducteurs
- Flot de conception
- GDSII
- Gravure (micro-fabrication)
- Gravure au plasma
- Gravure ionique réactive
- Gravure ionique réactive profonde
- Gravure sèche
- Hétérojonction
- Implant dentaire audio
- Implant rétinien
- Implantation ionique
- Institut pour les circuits intégrés (Allemagne)
- Intégration à très grande échelle
- Junction Field Effect Transistor
- Langage de description de matériel
- Lithogravure
- Loi de Moore
- Masque photographique
- Mesure 4 pointes
- Electrical Wafer Sorting
- Microfluidique
- Microsystème
- Microsystème opto-électro-mécanique
- Microtechnologie
- Mémoire mono-électronique
- Photocatalyse
- Photolithographie
- Poussière intelligente
- Procédé LIGA
- Puce haut-parleur
- Puce microphone
- Puce seringue
- Register Transfer Level
- Résine photosensible
- Saliciure
- Semi-conducteur
- Sonde ionique focalisée
- System in package
- Technique de montage en surface
- Transducteur microusiné
- Transistor
- Wafer
- Agere Systems
- Altera
- Analog Devices
- ASM International
- Atmel
- Utilisateur:EugenyBrychkov//Eugenys test page
- Fairchild Semiconductor
- G.Skill
- GeIL
- Huawei Symantec
- Humax
- Hynix
- Infineon Technologies
- International Business Machines
- LG-Nortel
- Logicom
- Microchip Technology
- NXP Semiconductors
- Panasonic Corporation
- Pitney Bowes
- Qimonda
- Renesas Electronics Corporation
- Signetics
- ST-Ericsson
- ST-NXP Wireless
- ALi Corporation
- Fuzhou Rockchip
- MediaTek
- Nufront
- Samsung Electronics
- Samsung Group
- Advanced Micro Devices
- Broadcom
- Freescale Semiconductor
- Intel
- KLA-Tencor
- Linear Technology
- Marvell Technology Group
- Maxim IC
- National Semiconductor
- Texas Instruments
- 3S Photonics
- ASK (société)
- Gemalto
- Gemplus international
- Oberthur Technologies
- Parrot SA
- Picogiga International
- STMicroelectronics
- Wavecom
- Xiring
- Baie HDS 9980V
- Hitachi
- Hitachi Data Systems
- Hitachi Global Storage Technologies
- NEC
- Sanyo
- Sharp Corporation
- Sony
- Tokyo Electron
- Toshiba
- Lithographie Extreme UltraViolet
- Lithographie à faisceau d'électrons
- Aliovalent
- Atomic Layer Deposition
- Câblage par fil
- Capacité MOS
- Cellule CIGS
- Diode Gunn
- Dopage (semi-conducteur)
- Détecteur à semiconducteur
- Effet d'avalanche
- Fabless
- Fabricant de composant électronique
- Fonderie (électronique)
- Jonction P-N
- Liste des principaux fabricants de semi-conducteurs au fil des ans
- Loi de Rock
- Procédés de fabrication des matériaux semiconducteurs
- Puce retournée
- Recuit thermique rapide
- Refroidissement thermoélectrique
- Scie à fil diamanté
- Self-aligned gate
- Semi-conducteur III-V
- Semi-conducteur intrinsèque
- Semi-conducteur à large bande
- Silicium amorphe
- Silicium sur isolant
- Substrat
- Théorie des bandes
- Diode électroluminescente
- Chrysène
- Diindénopérylène
- Lampe à diode électroluminescente
- PEDOT:PSS
- Pentacène
- Pérylène
- Rubrène
- Tétracène
- Liste de matériaux semi-conducteurs
- Antimoniure d'aluminium
- Antimoniure de gallium
- Arséniure d'aluminium
- Arséniure d'indium
- Arséniure de gallium
- Arséniure de gallium-aluminium
- Carbure de silicium
- Carbure de tungstène
- Dioxyde d'uranium
- Dioxyde de titane
- Galène
- Germanium
- Nitrure d'aluminium
- Nitrure d'indium
- Nitrure de bore
- Nitrure de gallium
- Oxyde cuivreux
- Oxyde de cuivre(II)
- Oxyde de fer(II,III)
- Oxyde de zinc
- Phospho-arséniure de gallium
- Phosphure d'aluminium
- Phosphure d'indium
- Phosphure de gallium
- Silicium
- Silicium polycristallin
- Silicium-germanium
- Sphalérite
- Sulfure de plomb(II)
- Tellurure d'antimoine
- Tellurure d'argent
- Tellurure de cadmium
- Tellurure de plomb
- Triméthylgallium
- Agrégat atomique
- Carborane
- Cluster fer-soufre
- Polyoxométallate
- Structure de Keggin
- Superatome
- Tétraédrane