Carbon Nanotube Field Effect Transistor
Un CNFET (Carbon Nanotube Field Effect Transistor) est un dispositif électronique de commutation de type transistor à effet de champ, utilisant des nanotubes de carbone. Le nanotube de type semi-conducteur est utilisé en tant que canal, à travers lequel les électrons peuvent circuler d’une manière contrôlée, selon que l’on applique ou non, une différence de potentiel sur une troisième électrode.
Historique[modifier | modifier le code]
En , IBM annonce la création du premier dispositif CNFET. Le constructeur informatique démontre ainsi que des nanotubes de carbone, 50 000 fois plus fin qu’un cheveu humain peuvent surpasser les performances unitaires des meilleurs dispositifs de commutation à silicium du moment.
Fonctionnement[modifier | modifier le code]
Un tel transistor à effet de champ à nanotube (CNFET), utilise un nanotube de carbone mono-paroi dans une structure s’apparentant à un transistor conventionnel à effet de champ de la technologie « metal oxyde semiconductor » (MOSFET). L’électrode de commande (gate) est disposée au-dessus du canal de conduction et séparée de celui-ci par une mince couche diélectrique (gate oxyde).
Bibliographie[modifier | modifier le code]
- Nano-informatique et Intelligence Ambiante, Jean-Baptiste Waldner, Hermes Science, London, 2006, (ISBN 2746215160)
- Vertical Scaling of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors Using Top Gate Electrodes, Shalom Wind, Joerg Appenzeller, Richard Martel, Vincent Derycke & Phaedon Avouris, IBM's T.J. Watson Research Center, Journal of Applied Physics Letters, 2002
- Nanocomputers & Swarm Intelligence, Jean-Baptiste Waldner, ISTE, London, 2007, (ISBN 9781847040022)
- Nanotubes for Electronics, Philip G. Collins & Phaedon Avouris, Scientific American, 2000
Thèmes connexes[modifier | modifier le code]
